Предназначен для сканирования проводящих поверхностей образца в атомном масштабе.
Проводящий наконечник достигает проводящей поверхности образца с помощью напряжения смещения, и электроны могут проходить туннелирование между образцом и наконечником.
Диапазон туннельного напряжения от -7,5 до +7,5 В.
Диапазон туннельного тока от 0,1 до 40 нА.
Минимальный шаг сближения 100 Нм.
Максимальное сканирования по осям X, Y при сшивке 80 мкм.
Максимальный сканирование по оси Z 6 мкм.